| 真空濺射鍍膜十大工藝特點(diǎn)
1、可制備成靶材的各種材料均可作為薄膜材料，包括各種金屬、半導(dǎo)體、鐵磁材料，以及絕緣的氧化物、陶瓷、聚合物等物質(zhì)，尤其適合高熔點(diǎn)和低蒸汽壓的材料沉積鍍膜;
2、在適當(dāng)條件下多元靶材共濺射方式，可沉積所需組分的混合物、化合物薄膜;
3、在濺射的放電氣氛中加入氧、氮或其它活性氣體，可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜；
4、控制真空室中的氣壓、濺射功率，基本上可獲得穩(wěn)定的沉積速率，通過(guò)精確地控制濺射鍍膜時(shí)間，容易獲得均勻的高精度的膜厚，且重復(fù)性好；
5、對(duì)于大面積鍍膜，濺射沉積絕對(duì)優(yōu)于其它鍍膜工藝；
6、在真空容器內(nèi)，濺射粒子不受重力影響，靶材和基板的位置可以自由對(duì)齊；
7、濺射粒子幾乎不受重力影響，靶材與基片位置可自由安排:基片與膜的附著強(qiáng)度是一般蒸鍍膜的10倍以上，且由于濺射粒子帶有高能量，在成膜面會(huì)繼續(xù)表面擴(kuò)散而得到硬且致密的薄膜，同時(shí)高能量使基片只要較低的溫度即可得到結(jié)晶膜;
8、薄膜形成初期成核密度高，10nm以下的極薄連續(xù)膜；
9、濺射靶材使用壽命長(zhǎng)，可長(zhǎng)期連續(xù)生產(chǎn)；
10、濺射靶材可制成各種形狀。通過(guò)靶材形狀的特殊設(shè)計(jì)，可以更好地控制濺射過(guò)程，最有效地提高濺射效率。
以上是磁控濺射的十大工藝特點(diǎn)， 但是磁控濺射也存在一些需要進(jìn)一步改善的問(wèn)題。其中一個(gè)主要的問(wèn)題是靶材的利用率有待提高。實(shí)際應(yīng)用中，圓形的平面陰極靶，靶材的利用率通常小于30%。通過(guò)磁場(chǎng)的優(yōu)化設(shè)計(jì)可提高靶材的利用率。另外,旋轉(zhuǎn)靶材的利用率較高，可達(dá)到70%-80%以上。
瀏覽量：796 發(fā)布時(shí)間：2022-9-29 |
